pMOS相关论文
相比传统机械式断路器，固态断路器（solid-state circuit breaker，SSCB）以其分断速度快、不产生电弧等优点，在直流电网中得以广泛关注。......
针对功率PMOS管驱动电路缺乏，从而引起其开关速度慢的问题，本文提出了可快速开关功率PMOS管的有源泄放驱动电路；由PWM脉冲控制有源泄......
核能是未来能源的重要组成部分,利用得当会为人类造福,如果使用不当会给人类带来毁灭性的灾难,而辐射探测器是发展核能必备的基础......
基于费密金色的统治和 Boltzmann 碰撞术语近似的理论，散布拉紧的 Si/(111 ) Si1x Ge x 的机制的洞被建立包括电离杂质，散布的声学的......
在微型计算机、电子仪器、自动控制装置及家用电器中.数字集成电路的使用是非常普遍的。最常用的数字电路有74系列和4000(包括MC1......
采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量、掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响，很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同......
休斯公司圣巴巴拉研究中心和休斯技术中心是从七十年代初开始设计和制造第二代读出电子部件的。本文讨论推动这些电路发展的一些因......
响应表面方法与ＴＣＡＤ相结合是一个极具潜力的有用技术，它可以极大地减少研制和优化ＩＣ工艺的时间和成本。本文介绍了用响应表面的实验设计与......
3.3.晶胞Aladdin晶胞是一种三晶体管设计,而不是以前所用的比较传统的四晶体管方案。这样做的目的是出于提高产额和读出速度方面......
本文详细论述了一种可以有多输入的CMOS宽带互导（WBTC）电路，该电路具有线性，频率响应好的特点。利用该电路可以构成高Q值的VHF可调谐选......
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I—V技术分离氧化物......
介绍了用MBE法生长SiGe／Si新材料的无氧外延表面等关键技术，并据此外延生长出本征和掺杂Si1-xGex／Si材料。其测试结果与分析表明，该合......
以 Ｐ Ｍ Ｏ Ｓ结构为研究对象，对其绝缘栅栅氧化的动态过程进行了计算机模拟，进而提出了可以抑制杂质分凝效应的栅氧化新模式该成果对 Ｐ沟......
提出了一种基于灵敏放大器的新型触发器 .和其它触发器相比 ,该触发器在近似相等的功耗下能以更快的速度工作 ,并且其所需要的 MOS......
文章提出一种适于片内集成的低功耗CMOS晶体振荡电路,使得电路的平均工作电流从几μA下降到1μA。仿真表明在正常情况下,电路的平......
In this paper we describe a full-integrated circuit containing all building blocks of a completed PLL-based synuhesizer ......
对薄膜积累型SOIpMOSFET的制备和特性进行了研究 .把一些特性和反掺杂型SOIpMOSFET进行了比较 .其亚阈值斜率只有 6 9mV/decade ,......
Programmable Logic Array (PLA) is an important building circuit of VLSI chips and some of the FPGA architectures have ev......
NEC在研发55nmCMOS工艺技术中采用如下关键工艺:1.193nmArF浸润式光刻技术;2.高k介电质—HfSiON,实现高载流子迁移率,实际氧化膜厚......
相对于采用选择性锗硅外延的应变硅而言,基于锗工艺制造的 PMOS 能够进一步提高其驱动能力。将适当的锗前驱物安装在标准硅外延设......
A RF mixer with both low noise and high linearity is designed,operating at 2.45-GHz ISM band for RFID application.The de......
提出了一种新的纯MOS结构的基准电压源,它利用pMOS和nMOS的阈值电压差来抵消工艺偏差,提高了基准的精度.该电路经过Chartered0.35m......
据《Semiconductor FPD World》2008年第8期报道,日本富士通研究所和富士通微电子联合开发了用于32nm逻辑LSI的低功耗CMOS技术。为......
PolarFab公司现在推出其模组化0.35微米8Polar35工艺3.3V CMOS器件。与5V器件相比,该器件模组提高了电路性能,同时降低了模拟密集......
As semiconductor manufacturing migrates to more advanced technology nodes, accelerated aging effect for nanoscale device......
This paper presents a novel mixed-voltage I/O buffer without an extra dual-oxide CMOS process.This mixed-voltage I/O buf......
Intel和另一家顶级器件制造商正在研究使用(110)晶向的硅片衬底来提高pMOS的迁移率。在2008年的国际电子器件会议(IEDM)上,Intel的......
The temperature dependence of charge sharing in a 130 nm CMOS technology has been investigated over a temperature range ......
Wet-etch etchants and the TaN film method for dual-metal-gate integration are investigated.Both HF/HN O 3 /H 2 O and NH ......
New CMOS readout circuit with background suppression and CDS for infrared focal plane array applicat
A high injection, large dynamic range, stable detector bias, small area and low power consumption CMOS readout circuit w......
我们在对DK6740、XKD5112数控线切割机床的大修改造中,选用无锡仪表五厂生产的DXFD—1B高频分组脉冲电源,取得了较满意的效果。但......
我厂原有一台苏州三光厂的XSS型线切割机床,去年这台机床的PMOS集成电路控制柜换成了该厂的D型微机控制台。但是,控制台换后,机床......
A novel fully differential telescopic operational transconductance amplifier (OTA) is proposed. An additional PMOS diffe......
The study on mechanism and model of negative bias temperature instability degradation in P-channel m
Negative Bias Temperature Instability (NBTI) has become one of the most serious reliability problems of metal- oxide-sem......
A current bleeding CMOS mixer with complementary transconductance stage is presented in this paper.The conversion gain o......
A rotary traveling-wave oscillator(RTWO) targeted at 5.8 GHz band operation is designed and fabricated using standard 0.......
The appropriate wet etch process for the selective removal of TaN on the HfSiON dielectric with an amorphous-silicon(a-S......
This paper presents a 1 kb sub-threshold SRAM in the 180 nm CMOS process based on an improved 11T SRAM cell with new str......
A 4224 MHz phase-locked loop(PLL) is implemented in 0.13μm CMOS technology.A dynamic phase frequency detector is employ......
利用应变Si1-xGex/(111)Si材料价带E(k)-k关系,研究获得了沿不同晶向的空穴有效质量,并在此基础上,建立了空穴各向同性有效质量模......
Full on-chip and area-efficient CMOS LDO with zero to maximum load stability using adaptive frequenc
A full on-chip and area-efficient low-dropout linear regulator(LDO) is presented.By using the proposed adaptive frequenc......
